近日，三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI 2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管（3D堆叠FET）方面取得的成果，该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体领域。
（文章来源：科创板日报）
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原标题：三星电子展出业界最小3D堆叠晶体管
近日，三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI 2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管（3D堆叠FET）方面取得的成果，该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体领域。
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