【大河财立方消息】9月28日晚间,长鑫科技披露百亿投资计划,拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目。
根据公告,长鑫科技拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。同时,长鑫科技拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元,由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品(合肥)有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。
长鑫科技本次拟实施的技术研发项目,项目投资总额241亿元,建设周期30个月;存储器晶圆后道测试基地二期项目,总投资108亿元,计划建设一座测试工厂,为DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装,项目建设周期37个月。
长鑫科技表示,拟通过实施超募项目,开展技术研发工作,在保持公司技术领先性的同时,也有利于公司更快地推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品,以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。
同时,长鑫科技也提到,通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目,能够更灵活协调测试产能利用率,降低公司DRAM 芯片测试成本,提升公司运营效率和测试技术,有利于公司进一步完善IDM 模式、增强公司的整体竞争力。
今年7月27日,长鑫科技登陆科创板。长鑫科技本次IPO共发行76.91亿股(含超额配售选择权全额行使),募集资金净额为663.10亿元,其中超募金额368.10亿元。
截至9月28日收盘,长鑫科技报53.8元/股,最新市值3.65亿元。
(文章来源:大河财立方)
文章来源:大河财立方
原标题:A股“市值一哥”,抛出近350亿元投资计划
